半导体泵浦激光器采用半导体发光二极管作为激光晶体的能量来源（激励源），用波长808nm半导体发光二极管泵浦Nd：YAG介质，使介质产生大量的反转粒子，在Q开关的作用下形成波长为1064nm的巨脉冲激光输出。因为半导体激光器的电光转换率较灯泵浦激光器有了较大提高，因而避免了由于发热高所造成的辅助设备体积庞大、激光束品质欠佳等问题。是第二代激光器的代表。
     兼具YAG激光打标机的优点
·   独特的“U”字型激光腔设计，使激光在相同功率 输出质量更高；
·   直腔半导体机型专用于配合生产流水线及自动化生产线的设备；
·   激光品质更优（M2＜6），光斑更小，能量更集中；
·   免维护设计，无需要换耗材，平均无故障工作时间更长；
·   安装红光定位系统，打标操作时更方便；
·   使用新型改良水泠系统，体积更小巧，泠却效果更佳；

      

型 号	DP-R50	DP-R75	DP-R50L	DP-R75L
最大激光功率	50W	75W	50W	75W
激光波长	1064nm	1064nm	1064nm	1064nm
光束质量M2	<6	<6	<6	<6
激光重复频率	<=30khz	<=30khz	<=30khz	<=30khz
标准雕刻范围	100mm*100mm
选配雕刻范围	50mm*50mm/150mm*150mm/300mm*300mm
雕刻深度	<=0.3mm	0.4mm	<=0.3mm	0.4mm
雕刻线速	<=7000mm/s
最小线宽	0.015mm
最小字符	0.3mm
重复精度	±0.003mm
整机耗电功率	1.5KW	2KW	1.5KW	2KW